HCA60R070F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCA60R070F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: TO247
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HCA60R070F datasheet
hca60r070f.pdf
July 2020 HCA60R070F 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 42 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 70 m 100% Avalanche Tested Fast Recovery Time Qg, Typ 106 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit
hca60r150t.pdf
Jan 2016 HCA60R150T 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 22 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Qg, Typ 41 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS) TO-247 Uninterruptib
hca60r290.pdf
Dec 2020 HCA60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 12.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit
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