DMN66D0LW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN66D0LW  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT323

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DMN66D0LW datasheet

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DMN66D0LW

DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-323 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D Fast

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DMN66D0LW

DMN66D0LT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-523 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D Fast Switching Speed

 6.2. Size:174K  diodes
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DMN66D0LW

DMN66D0LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-363 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C

 6.3. Size:1936K  cn tech public
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DMN66D0LW

V 2.5

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