AGM502 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM502  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT523

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AGM502 datasheet

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AGM502

AGM502 General Description Product Summary The AGM502 combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 2.0 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-523 Pin Configuration Low R to minimize c

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AGM502

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