ZXMN6A07Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN6A07Z
   Código: 7N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.2 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN6A07Z

ZXMN6A07Z Datasheet (PDF)

..1. Size:530K diodes
zxmn6a07z.pdf

ZXMN6A07Z60V SOT89 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 2.5600.350 @ VGS= 4.5V 2.1DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS

0.1. Size:527K zetex
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0.2. Size:852K cn vbsemi
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ZXMN6A07ZTAwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwi

6.1. Size:531K diodes
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ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS

6.2. Size:527K zetex
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6.3. Size:527K zetex
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6.4. Size:1319K cn vbsemi
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ZXMN6A07Fwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)G

Otros transistores... DMN62D1SFB , DMN66D0LDW , DMN66D0LT , DMN66D0LW , ZXM64N035L3 , ZXMN4A06G , ZXMN4A06K , ZXMN6A07F , 4435 , ZXMN6A08E6 , ZXMN6A08G , ZXMN6A08K , ZXMN6A09DN8 , ZXMN6A09G , ZXMN6A09K , ZXMN6A11DN8 , ZXMN6A11G .

Liste

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