ZXMN6A09G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ZXMN6A09G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN6A09G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1407 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT223

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ZXMN6A09G datasheet

..1. Size:558K diodes
zxmn6a09g.pdf pdf_icon

ZXMN6A09G 60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.040 @ VGS= 10V 7.5 60 0.060 @ VGS= 4.5V 6.2 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

0.1. Size:554K zetex
zxmn6a09gta.pdf pdf_icon

6.1. Size:584K diodes
zxmn6a09dn8.pdf pdf_icon

ZXMN6A09DN8 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 0.040 @ VGS= 10V 5.6 60 0.060 @ VGS= 4.5V 4.6 Description This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

6.2. Size:631K diodes
zxmn6a09ktc.pdf pdf_icon

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