AP3004S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP3004S 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: SOP8
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AP3004S datasheet
ap300n04tlg5.pdf
AP300N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP300N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =300A DS D R
Otros transistores... AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003, 50N06, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K
History: P8315AD | SSM4228GM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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