AP4580 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4580 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2(1.8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2(4.9) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45(100) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072(0.146) Ohm
Encapsulados: SOT23-8L
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AP4580 datasheet
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Liste
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MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
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