AP4606 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4606 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9(6) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1(5.7) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102(190) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.035) Ohm
Encapsulados: SOP8
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AP4606 datasheet
ap4606p.pdf
AP4606P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.7m Fast Switching Characteristic ID3 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4606 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes
Otros transistores... AP3N50F, AP3N50K, AP4407, AP4407C, AP4409S, AP4410, AP4435C, AP4580, K3569, AP4688S, AP4008SD, AP4013S, AP40N06K, AP40N100K, AP40N100LK, AP40P04G, AP40P04K
History: AP4410
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
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