AP85P04G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP85P04G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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AP85P04G datasheet
Otros transistores... AP7N10K, AP80N06DH, AP80N06H, AP80N06T, AP80P04K, AP85N04G, AP85N04K, AP85N04Q, IRFB31N20D, AP90N03GD, AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SSH6N70A | APT84M50B2 | FDB8442F085 | AGM15T13D | APG035N04Q | NTB75N06G | NTMD6P02R2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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