APG013N04G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG013N04G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1169 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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APG013N04G datasheet

 ..1. Size:3044K  allpower
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APG013N04G

APG013N04G N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,160A R

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APG013N04G

 9.2. Size:2021K  allpower
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APG013N04G

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