APG068N04G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APG068N04G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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APG068N04G datasheet
Otros transistores... APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D, APG060N85D, 7N65, APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L, AOK033V120X2, AOK033V120X2Q, AOK065V120X2
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AO3481C | SSW60R043SFD2 | JMSL0615AGDQ | DHF9Z24 | IRFZ24NSPBF | APP540
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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