AOK033V120X2Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK033V120X2Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: TO247

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AOK033V120X2Q datasheet

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AOK033V120X2Q

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2Q SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, with low R DS, ON I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON), typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery d

 2.1. Size:984K  aosemi
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AOK033V120X2Q

ALPHA & OMEGA AOK033V120X2 SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J,max Low loss, with low R DS(ON) I 120 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 33 m DS(ON),typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 226 nC rr Low reverse recovery diod

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AOK033V120X2Q

AOK031A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 304A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... APG060N85D, APG068N04G, APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L, AOK033V120X2, IRF9540N, AOK065V120X2, AOK065V65X2, AOK500V120X2, AOM033V120X2, AOM065V120X2Q, AONV070V65G1, AOTF11S60L, AOTF27S60L