ADW120N080G2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ADW120N080G2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO-247
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ADW120N080G2 datasheet
adq120n080g2 adw120n080g2 adg120n080g2.pdf
ADQ120N080G2, ADW120N080G2, ADG120N080G2 1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET 1. Applications Asymmetrical Bridge Converter Inverter Single Switch Forward Flyback 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 80m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2 to 4 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 1200 V
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