ASU65R850E Todos los transistores

 

ASU65R850E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASU65R850E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO251

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ASU65R850E datasheet

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ASU65R850E

ASA65R850E, ASU65R850E, ASD65R850E , ASU65R850E, ASD65R850E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback or ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.) resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.

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ASU65R850E

ASA 0E, ASU 0E, ASD A65R550 U65R550 D65R550E MOSFET Silico nel MOS on N-Chann 1. Applicatio ons Boost PFC switch, single-ended flyb transistor forw back or two-t rward topologies. PD Adaptor ED lighting. r, LCD & PDP TV and LE 2. Features Low drain- esistance R 0.50 (typ.) -source on-re RDS(ON) = 0 Easy to co ontrol Gate switching Enhancem Vth = 2.8 to 4 ment mode

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ASU65R850E

ASA65R350E, ASU65R350E, , ASU65R350E, ASD65R350E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications PFC stages,hard switching PWM stages and resonant PFC stages,hard switching PWM stages and resonant switching PWM PC, Silverbox,Adaptor,LCD & PDP TV,Lighting,Server power,Telecom power nd UPS Silverbox,Adaptor,LCD & PDP TV,Lighting,Server power,Telecom power and UPS application. 2. Feature

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