AUN053N10 Todos los transistores

 

AUN053N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUN053N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 136 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 379 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AUN053N10 datasheet

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AUN053N10

AUN053N10, AUB056N10, AUP056N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5X6 RDS(ON) = 4.6m (typ.) TO263 RDS(ON) = 4.8m (typ.) TO220 RDS(ON) = 4.8m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt

 9.1. Size:962K  cn anhi
 aup056n08bgl aud056n08bgl aun050n08bgl aua056n08bgl aub056n08bgl.pdf pdf_icon

AUN053N10

AUP056N08BGL, AUD056N08BGL, AUN050N08BGL, AUA056N08BGL, AUB056N08BGL MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.9m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to 2.5 V Table 1 Key Pe

Otros transistores... AUD060N055 , AUD060N08AG , AUD062N08BG , AUD069N10A , AUN036N10 , AUN042N055 , AUN045N085 , AUN050N08BGL , 5N60 , AUN060N08AG , AUN062N08BG , AUN063N10 , AUN065N10 , AUN084N10 , , , .

 

 

 

 

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