AP3N9R5YT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3N9R5YT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP3N9R5YT datasheet

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AP3N9R5YT

AP3N9R5YT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Low RDS(ON) RDS(ON) 9.5m RoHS Compliant & Halogen-Free D G D D S D Description AP3N9R5 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- S resistan

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AP3N9R5YT

AP3N9R5H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 37.8A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP3N9R5 seriesare fromAdvanced Power innovated

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AP3N9R5YT

AP3N9R5MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9.5m Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3N9R5 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible

Otros transistores... AUR020N10, AUR030N10, AUW025N10, AUW033N08BG, AP12A390YT, AP2P053Y, AP3N5R0MT, AP3N9R5MT, IRF730, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, EHBA036R1