AKF20P45D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AKF20P45D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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AKF20P45D datasheet

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AKF20P45D

AKF20P45D Dual P-Channel 20V Enhancement Mode MOSFET General Features Product Summary Fast Switching Speed BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Low On-Resistance 35m @VGS=-4.5V -4.5A Small Footprint Typical ESD Protection 2500V 50m @VGS=-2.5V -4.5A -20V RoHS Compliant 100m @VGS=-1.8V -4.5A Halogen-free Available 160m @VGS=-1.5V -1.5A Applications

Otros transistores... CRTT067N10N, EHBA036R1, FKBB3105, SVF11N65T, SVF11N65F, CM3400, CM3407, CM4407, IRF640N