AKF30N5P0SX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AKF30N5P0SX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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AKF30N5P0SX datasheet

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AKF30N5P0SX

AKF30N5P0SX 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features RDS(ON) RDS(ON) Low R DS(ON) BVDSS @V =10V @V =4.5V GS GS Low Gate Charge Advanced High Cell Density Trench Technology 30V 3.9m 5.2 m RoHS Compliant Halogen-free available I 59A D 100% Avalanche Tested PDFN3333 Applications High Efficiency DC/DC Con

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AKF30N5P0SX

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