CRST030N10N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRST030N10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 111 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1446 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO263

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CRST030N10N datasheet

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CRST030N10N

CRST030N10N,CRSS028N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 2.5m , 180A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 180A Qualified according to JEDEC criteria Applications Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charge

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CRST030N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ 3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

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CRST030N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

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CRST030N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

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