DMG9933USD Todos los transistores

 

DMG9933USD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG9933USD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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DMG9933USD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  diodes
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DMG9933USD

DMG9933USDDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di

 9.1. Size:161K  diodes
 dmg9926usd.pdf pdf_icon

DMG9933USD

DMG9926USDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 24m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 29m @ VGS = 2.5V Terminals Conn

 9.2. Size:135K  diodes
 dmg9926udm.pdf pdf_icon

DMG9933USD

DMG9926UDMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SOT-26 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 28m @VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 32m @

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History: HCU7NE70S | STF10NM60N

 

 
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