BMS2302 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BMS2302  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOT323

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BMS2302 datasheet

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BMS2302

BMS2302 N-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = 20V DS I D = 2.1A R @V = 4.5V, Max =68m DS(ON) GS R @V = 2.5V, Max =115m DS(ON) GS General Description Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Pa

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BMS2302

BMS2301 P-Channel MOSFET Features Pin Configurations V = -20V DS I D = -1.4A R @V = -4.5V, Max =100m DS(ON) GS R @V = -2.5V, Max =140m DS(ON) GS R @V = -1.8V, Max =210m DS(ON) GS General Description Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-323 for Surface Mount Package. Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... AO3415E, BM3134E, BM3134KE, BM3139KT, BM8205, BMDFN2301, BMDFN2302, BMS2301, IRF740