MSHM40N085 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSHM40N085  📄📄 

Código: 40N085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: PDFN3.3X3.3

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MSHM40N085 datasheet

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MSHM40N085

MSHM40N085 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

Otros transistores... MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, MSHM30N46, STP75NF75