BC3407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BC3407  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BC3407 datasheet

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BC3407

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SOT-23 The BC3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING 3407 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Paramete

 9.1. Size:1094K  cn cbi
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BC3407

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The BC3401 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.2 A (VGS = -10V) operation with gate voltages as low as 2.5V. This RDS(ON)

 9.2. Size:1042K  cn cbi
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BC3407

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE High dense cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING 3400 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Sourc

Otros transistores... 2SK3019W, 2SK3019WT, BC1012, BC1012T, BC1012W, BC2301, BC3400, BC3401, AON7410