DMP2240UDM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP2240UDM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP2240UDM

DMP2240UDM Datasheet (PDF)

..1. Size:162K diodes
dmp2240udm.pdf

DMP2240UDMDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-26 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 150 m @ VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 200 m @ VGS = -2.5V Terminals C

6.1. Size:458K diodes
dmp2240uwq.pdf

DMP2240UWQ P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = 25C Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 1V Low Input Capacitance 150m @ VGS = -4.5V -1.5A Fast Switching Speed 200m @ VGS = -2.5V -1A Low Input/Output Leakage -20V Totally Lead-Free & Fully R

6.2. Size:159K diodes
dmp2240uw.pdf

DMP2240UWP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: SOT-323 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 150 m @ VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 200 m @ VGS = -2.5V Terminals Connections

6.3. Size:830K cn vbsemi
dmp2240uw.pdf

DMP2240UWwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conver

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: