2SK681A Todos los transistores

 

2SK681A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK681A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK681A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  1
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2SK681A

 9.1. Size:308K  1
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2SK681A

 9.2. Size:84K  1
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 9.3. Size:45K  hitachi
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2SK681A

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History: PE506BA | IRC833A | 2SK815 | STD5N52K3 | UF630G-TN3-R | F5F50VX2

 

 
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