DMP57D5UV Todos los transistores

 

DMP57D5UV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP57D5UV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563
 

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DMP57D5UV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  diodes
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DMP57D5UV

DMP57D5UVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-563 ESD Protected Gate to 1kV Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 6.1. Size:137K  diodes
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DMP57D5UV

DMP57D5UFBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: DFN1006-3RDS(ON) 6 @ VGS = -4.0V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 RDS(ON) 8 @ VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V

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History: HY12N65T | OSG70R350DTF | HM2369 | WMN53N60C4 | CSD87501L | BRCS120P012ZJ | AOWF600A60

 

 
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