DMP57D5UV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP57D5UV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP57D5UV
DMP57D5UV Datasheet (PDF)
dmp57d5uv.pdf
DMP57D5UVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-563 ESD Protected Gate to 1kV Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
dmp57d5ufb.pdf
DMP57D5UFBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: DFN1006-3RDS(ON) 6 @ VGS = -4.0V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 RDS(ON) 8 @ VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V
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Liste
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