DMP58D0SV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP58D0SV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP58D0SV

DMP58D0SV Datasheet (PDF)

..1. Size:140K diodes
dmp58d0sv.pdf

DMP58D0SVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-563 ESD Protected Gate to 500V Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Leve

7.1. Size:147K diodes
dmp58d0lfb.pdf

DMP58D0LFBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed -50V 8 @ VGS = -5V X1-DFN1006-3 -310A Low Input/Output Leakage ESD Protected 1kV Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: