DMP58D0SV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP58D0SV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP58D0SV
Principales características: DMP58D0SV
dmp58d0sv.pdf
DMP58D0SV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-563 ESD Protected Gate to 500V Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Leve
dmp58d0lfb.pdf
DMP58D0LFB P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed -50V 8 @ VGS = -5V X1-DFN1006-3 -310A Low Input/Output Leakage ESD Protected 1kV Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.
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Liste
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