2SK703 Todos los transistores

 

2SK703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK703
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  nec
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2SK703

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
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2SK703

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK703FEATURESDrain Current : I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.45(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 9.1. Size:144K  1
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2SK703

 9.2. Size:188K  toshiba
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2SK703

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History: 2SK2652-01 | RUQ050N02 | AP4563GH | 2SK2866 | IRFS4410ZPBF | FDN338 | P2610ADG

 

 
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