DMS2120LFWB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMS2120LFWB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 627 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: WDFN30208
Búsqueda de reemplazo de DMS2120LFWB MOSFET
DMS2120LFWB Datasheet (PDF)
dms2120lfwb.pdf

DMS2120LFWBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN3020B-8 95m @VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 120m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1
Otros transistores... BSS8402DW , DMC4028SSD , DMC4040SSD , DMC4050SSD , ZXMC10A816N8 , ZXMC4559DN8 , ZXMC4A16DN8 , ZXMC6A09DN8 , 2SK3568 , DMS2220LFDB , DMS2220LFW , 2SK311 , 2SK3107C , 2SK3112 , 2SK3114B , BSP75G , BSP75N .
History: BSP316P | SIHA22N60AE | AP2309GEN | SIHF730AS | MS7N80 | IRF251 | 10N80L-TF2-T
History: BSP316P | SIHA22N60AE | AP2309GEN | SIHF730AS | MS7N80 | IRF251 | 10N80L-TF2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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