2SK4221 Todos los transistores

 

2SK4221 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK4221

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 220 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 87 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PB

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2SK4221 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk4221.pdf Size:298K _sanyo

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2SK4221 Ordering number : ENA1518 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4221 Applications Features Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability HVP process. Avalanche resistance guarantee. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ra

4.1. 2sk422.pdf Size:135K _update

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4.2. 2sk4222.pdf Size:298K _sanyo

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2SK4222 Ordering number : ENA1519 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4222 Applications Features Low ON-resistance. High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate-to-

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