ATP404 Todos los transistores

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ATP404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP404

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 95 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0055 Ohm

Empaquetado / Estuche: ATPAK

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ATP404 Datasheet (PDF)

1.1. atp404.pdf Size:459K _sanyo

ATP404
ATP404

ATP404 Ordering number : ENA1405A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP404 Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=5.5m (typ.) • Input capacitance Ciss=6400pF (typ.) Ω • 4.5V drive • Halogen free compliance Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Dra

5.1. atp405.pdf Size:459K _sanyo

ATP404
ATP404

ATP405 Ordering number : ENA1458A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP405 Applications Features • ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) • Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) Ω • 10V drive • Halogen free compliance Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

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