ATP404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ATP404
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 640 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP404

ATP404 Datasheet (PDF)

..1. Size:459K sanyo
atp404.pdf

ATP404Ordering number : ENA1405ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP404ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.5m (typ.) Input capacitance Ciss=6400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDra

9.1. Size:459K sanyo
atp405.pdf

ATP405Ordering number : ENA1458ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP405ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

9.2. Size:259K onsemi
atp401.pdf

Ordering number : ENA2167ATP401N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com60V, 100A, 3.7m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=2.8m (typ) Input Capasitance Ciss=17000pF(typ) 4.5V Drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Vo

9.3. Size:360K onsemi
atp405.pdf

Ordering number : ENA1458AATP405N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com100V, 40A, 33m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VGate-to-Source Vo

Otros transistores... ATP208 , ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , CS150N03A8 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: