ATP405 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP405
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Encapsulados: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de ATP405 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ATP405 datasheet
atp405.pdf
ATP405 Ordering number ENA1458A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP405 Applications Features ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-
atp405.pdf
Ordering number ENA1458A ATP405 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 40A, 33m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=25m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 100 V Gate-to-Source Vo
atp404.pdf
ATP404 Ordering number ENA1405A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP404 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.5m (typ.) Input capacitance Ciss=6400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Dra
atp401.pdf
Ordering number ENA2167 ATP401 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 100A, 3.7m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=2.8m (typ) Input Capasitance Ciss=17000pF(typ) 4.5V Drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Vo
Otros transistores... ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , 5N65 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 .
History: ATP404
History: ATP404
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f
