BFL4004 Todos los transistores

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BFL4004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFL4004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 36 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FI

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BFL4004 Datasheet (PDF)

1.1. bfl4004.pdf Size:314K _sanyo

BFL4004
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BFL4004 Ordering number : ENA1796 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BFL4004 Applications Features ON-resistance RDS(on)=1.9 (typ.) ? Input capacitance Ciss=710pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 800 V Gate-to-Sour

4.1. bfl4001.pdf Size:354K _sanyo

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BFL4001 Ordering number : ENA1638B SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BFL4001 Applications Features • ON-resistance RDS(on)=2.1 (typ.) • Input capacitance Ciss=850pF (typ.) Ω • 10V drive Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 900 V G

4.2. bfl4007.pdf Size:305K _sanyo

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BFL4007 Ordering number : ENA1689 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BFL4007 Applications Features • Reverse recovery time trr=95ns (typ) • ON-resistance RDS(on)=0.52 (typ) Ω • Input capacitance Ciss=1200pF (typ) • 10V drive Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings

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