BFL4026 Todos los transistores

 

BFL4026 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFL4026
   Código: FL4026
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FI
 

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BFL4026 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  sanyo
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BFL4026

BFL4026Ordering number : ENA1797SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBFL4026ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=2.8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 900 VG

 ..2. Size:278K  onsemi
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BFL4026

Ordering number : ENA1797ABFL4026N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com900V, 5A, 3.6 , TO-220F-3FSFeatures ON-resistance RDS(on)=2.8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 900 VGate-to-Source Voltage VGSS 30 VIDc*1

 ..3. Size:249K  inchange semiconductor
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BFL4026

isc N-Channel MOSFET Transistor BFL4026FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 9.1. Size:324K  sanyo
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BFL4026

BFL4036Ordering number : ENA1830SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBFL4036ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=0.4 (typ.) Input capacitance Ciss=1000pF (typ.) 10V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 V

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History: STD3N30L-1 | AP09N50I

 

 
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