ECH8602M Todos los transistores

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ECH8602M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECH8602M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: ECH8

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ECH8602M Datasheet (PDF)

1.1. ech8602m.pdf Size:488K _sanyo

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ECH8602M Ordering number : ENA1562 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8602M Applications Features 2.5V drive. Best suited for LiB charging and discharging switch. Common-drain type. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source V

4.1. ech8601m.pdf Size:66K _sanyo

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Ordering number : ENA1174 ECH8601M SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8601M Applications Features Low ON-resistance. Built-in gate protection resistor. 2.5V drive. Best suited for LiB charging and discharging switch. Common-drain type. Halogen free compliance. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25C Pa

4.2. ech8603.pdf Size:33K _sanyo

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Ordering number : ENN7218 ECH8603 P-Channel Silicon MOSFET ECH8603 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2206 2.5V drive. [ECH8603] Bottom View Side View 0.3 0.15 5 6 7 8 4 3 2 1 0.65 1 : Source1 2.9 Top View 2 : Gate1 3 : Source2 8 7 6 5 4 : Gate2 Side View 5 : Drain2 6 :

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