ECH8651R Todos los transistores

 

ECH8651R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ECH8651R
   Código: WV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: ECH8
 

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ECH8651R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  sanyo
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ECH8651R

Ordering number : ENA1010 ECH8651RSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8651RApplicationsFeatures Low ON-resistance. Built-in gate protection resistor. 2.5V drive. Best suited for LiB charging and discharging switch. Common-drain type. Halogen free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings

 ..2. Size:313K  onsemi
ech8651r.pdf pdf_icon

ECH8651R

Ordering number : ENA1010AECH8651RN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com24V, 10A, 14m , Dual ECH8Features Low ON-resistance Built-in gate protection resistor 2.5V drive Best suited for LiB charging and discharging switch Common-drain type Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParame

 8.1. Size:66K  sanyo
ech8654.pdf pdf_icon

ECH8651R

Ordering number : ENA0981ECH8654SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8654ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 8.2. Size:409K  sanyo
ech8659.pdf pdf_icon

ECH8651R

ECH8659Ordering number : ENA1224ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8659ApplicationsFeatures 4V drive Composite type, facilitating high-density mounting Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-So

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