EMH1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMH1303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMH1303

EMH1303 Datasheet (PDF)

..1. Size:65K sanyo
emh1303.pdf

Ordering number : ENA0661EMH1303SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH1303ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID --

8.1. Size:344K sanyo
emh1307.pdf

EMH1307Ordering number : ENA1715SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH1307ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1 : 20m (typ.) Input Capacitance Ciss=1100pF(typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDr

9.1. Size:138K philips
pemh13 pumh13.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH13; PUMH13NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13R1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX

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