FW282 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW282
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
FW282 Datasheet (PDF)
fw282.pdf

FW282Ordering number : ENA1549SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW282ApplicationsFeatures 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGSS 20
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HCFL60R190 | BLF6G27-100 | BLF881 | SMC3407
History: HCFL60R190 | BLF6G27-100 | BLF881 | SMC3407



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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