FW906 Todos los transistores

 

FW906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FW906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FW906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  sanyo
 fw906.pdf pdf_icon

FW906

FW906Ordering number : ENA1809SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel and P-Channel Silicon MOSFETsGeneral-Purpose Switching DeviceFW906ApplicationsFeatures ON-resistance Nch: RDS(on)1=18m (typ.), Pch: RDS(on)1=31m (typ.) 4V drive N-channel MOSFET + P-channel MOSFETSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions N-chan

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEM9936A | LSH65R1K5HT

 

 
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