FW906 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW906  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW906 datasheet

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FW906

FW906 Ordering number ENA1809 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device FW906 Applications Features ON-resistance Nch RDS(on)1=18m (typ.), Pch RDS(on)1=31m (typ.) 4V drive N-channel MOSFET + P-channel MOSFET Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions N-chan

Otros transistores... EMH2604, EMH2801, FW274, FW282, FW707, FW811, FW812, FW813, 8205A, FW907, J310, MCH3374, MCH3377, MCH3383, MCH3475, MCH3477, MCH3484