MCH6336 Todos los transistores

 

MCH6336 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCH6336
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: MCPH6
     - Selección de transistores por parámetros

 

MCH6336 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  sanyo
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MCH6336

Ordering number : ENA0958 MCH6336SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6336ApplicationsFeatures Ultrahigh-speed switching. 1.8V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC)

 8.1. Size:268K  sanyo
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MCH6336

Ordering number : ENA1017 MCH6331SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6331ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --3.5

 8.2. Size:66K  sanyo
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MCH6336

Ordering number : ENA0959 MCH6337SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6337ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V driveSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 8.3. Size:313K  onsemi
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MCH6336

MCH6337 Power MOSFET www.onsemi.com 20V, 49m, 4.5A, Single P-Channel Features Electrical Connection P-Channel Low On-Resistance High Speed Switching Low Gate Drive Voltage ESD Diode-Protected Gate 1, 2, 5, 6 Pb-Free and RoHS Compliance Halogen Free Compliance : MCH6337-TL-H, MCH6337-TL-W 1:Drain3Specifications 2:Drain3:GateAbsolute

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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