NDF08N60Z Todos los transistores

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NDF08N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDF08N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.82 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

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NDF08N60Z Datasheet (PDF)

1.1. ndf08n60z-d.pdf Size:112K _onsemi

NDF08N60Z
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NDF08N60Z, NDP08N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge http://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant VDSS RDS(ON) (MAX) @ 3.5 A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted) 600 V 0.95 W Rating Symbol NDF08N60Z NDP08N60Z Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V N-Channel Co

4.1. ndf08n50z ndp08n50z.pdf Size:140K _onsemi

NDF08N60Z
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NDF08N50Z, NDP08N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge http://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant VDSS RDS(ON) (TYP) @ 3.6 A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted) 500 V 0.69 W Rating Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 500 V N-Channel Co

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