NTA4001N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTA4001N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SC75 SOT416

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NTA4001N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTA4001N datasheet

 ..1. Size:132K  onsemi
nta4001n nva4001n.pdf pdf_icon

NTA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

 ..2. Size:81K  onsemi
nta4001n.pdf pdf_icon

NTA4001N

NTA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA Pb-Free Package is Available 2.2 W @ 2.5 V Applications 3 Power Management Load Switch L

 0.1. Size:128K  onsemi
nta4001nt1 nva4001n.pdf pdf_icon

NTA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

 0.2. Size:146K  lrc
lnta4001nt1g.pdf pdf_icon

NTA4001N

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection 3 Features Low Gate Charge for Fast Switching 1 Small 1.6 x 1.6 mm Footprint 2 ESD Protected Gate SC-89 Pb-Free Package is Available Applications Power Management Load Switch Level Shift V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Typ @ VGS (Note 1) Portabl

Otros transistores... NDF10N62Z, NDF11N50Z, NIC9N05TS1, NID6002N, NID9N05CL, NIF9N05CL, NIMD6001, FDD4N60NZ, IRFZ44, NTA4151P, NTA4153N, NTA7002N, NTB25P06, NTB35N15, NTB45N06, NTB45N06L, NTB5404N