NTGS3441 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTGS3441
   Código: PT*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTGS3441

NTGS3441 Datasheet (PDF)

0.1. Size:100K onsemi
ntgs3441t1 nvgs3441.pdf

NTGS3441, NVGS3441Power MOSFET1 Amp, 20 Volts, P-Channel TSOP-6Features Ultra Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Miniature TSOP-6 Surface Mount Package1 AMPERE NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique20 VOLTSSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andRDS(on) = 90 mWPPAP Capable

0.2. Size:89K onsemi
ntgs3441bt1g.pdf

NTGS3441BPower MOSFET-20 V, -3.5 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 2.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceApplicationsV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Battery Switch and Load Management Applications in Portable90 mW @ -4.5 V -3.0 AEquipment-20 V High Side Load Switch130 mW @ -2.5 V -2.4 A Portable D

0.3. Size:64K onsemi
ntgs3441p-d ntgs3441pt1g.pdf

NTGS3441PPower MOSFET-20 V, -3.16 A, Single P-Channel TSOP-6Features Ultra Low RDS(on) to Improve Conduction Loss Low Gate Charge to Improve Switching Losseshttp://onsemi.com TSOP-6 Surface Mount Package This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAXApplications 91 mW @ 4.5 V High Side Switch in DC-DC Converters-20 V 144 mW @ 2.7 V -3.16 A Batter

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