NTK3043N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTK3043N
Código: KA*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.44 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.255 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.3 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT723
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTK3043N
NTK3043N Datasheet (PDF)
ntk3043n.pdf
NTK3043NPower MOSFET20 V, 285 mA, N-Channel with ESDProtection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)
ntk3043n-d ntk3043nat5g ntk3043nt1g.pdf
NTK3043NPower MOSFET20 V, 285 mA, N-Channel with ESDProtection, SOT-723Featureshttp://onsemi.com Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)
lntk3043pt5g s-lntk3043pt5g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 285 mA, P-Channel with ESDProtection, SOT-723LNTK3043PT5GFeaturesS-LNTK3043PT5G Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)
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