QM3098M6 Todos los transistores

QM3098M6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM3098M6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 439 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: PRPAK5X6

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros