QM3098M6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM3098M6
Código: M3098M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 47.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 439 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PRPAK5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM3098M6
QM3098M6 Datasheet (PDF)
qm3090m6.pdf
uPI SEMI www.upi-semi.com Power Solutions for TODAY and TOMORROW IS NOW PART OF Please visit our website for more information: www.upi-semi.com The contents of this document are provided in connection with uPI Semiconductor Corp. (uPI) products. uPI makes no representations or warranties with respect to the accuracy or completeness of the contents of this publication and res
Otros transistores... NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N , AON7506 , NTLUF4189NZ , QN3109M6N , S60N12R , NTMD3P03 , NTMD4184PF , NTMD4820N , NTMD4840N , NTMD4884NF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918