NTMD5838NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMD5838NL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: SO8
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NTMD5838NL datasheet
ntmd5838nl.pdf
NTMD5838NL Power MOSFET 40 V, 8.9 A, 25 mW, Dual N-Channel SO-8 Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 25 mW @ 10 V 40 V 8.9 A Parameter Symbol Value Unit 30.8 mW @ 4.5 V Dra
ntmd5836nlr2g.pdf
NTMD5836NL Power MOSFET 40 V, Dual N-Channel, SOIC-8 Features Asymmetrical N Channels http //onsemi.com Low RDS(on) Low Capacitance N-Channel 1 N-Channel 2 Optimized Gate Charge D1 D2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant G1 G2 ID Max (Notes 1 and 2) V(BR)DSS RDS(on) Max S1 S2 Channel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 A 16 mW @ 4.5 V
ntmd5836nl.pdf
NTMD5836NL Power MOSFET 40 V, Dual N-Channel, SOIC-8 Features Asymmetrical N Channels http //onsemi.com Low RDS(on) Low Capacitance Optimized Gate Charge N-Channel 1 N-Channel 2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS D1 D2 Compliant ID Max G1 G2 (Notes 1 and 2) V(BR)DSS RDS(on) Max Channel 1 40 V 12 mW @ 10 V 11 A S1 S2 16 mW @ 4.5 V
Otros transistores... QN3109M6N , S60N12R , NTMD3P03 , NTMD4184PF , NTMD4820N , NTMD4840N , NTMD4884NF , NTMD5836NL , 5N60 , NTMD6N02R2 , NTMD6N03R2 , NTMD6N04R2 , S60N12S , NTMFS4119N , NTMFS4821N , NTMFS4823N , NTMFS4825NFE .
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