2SK961 Todos los transistores

 

2SK961 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK961

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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2SK961 Datasheet (PDF)

5.1. 2sk963.pdf Size:32K _panasonic

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Power F-MOS FETs 2SK963 2SK963 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit : mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 3.0 0.2 Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on) = 0.45?(typ) High-speed switching : tf = 45ns(typ) No secondary breakdown 1.1 0.1 0.85 0.1 Applications 0.75 0.1 0.4 0.1 DC-DC converter Non-contact relay Solenoid drive 2.3 0.2 4.6 0.4 Motor drive 1 2 3 1 : Gate Absolute Maxim

5.2. 2sk962.pdf Size:134K _fuji

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 5.3. 2sk932 2sk937 2sk968 2sk998 2sk1000.pdf Size:48K _no

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