2SK963 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK963

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SPAK

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2SK963 datasheet

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2SK963

Power F-MOS FETs 2SK963 2SK963 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 3.0 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on) = 0.45 (typ) High-speed switching tf = 45ns(typ) No secondary breakdown 1.1 0.1 0.85 0.1 Applications 0.75 0.1 0.4 0.1 DC-DC converter Non-contact relay Solenoid drive 2.3 0.2 4.6 0.4 Motor drive 1 2 3 1 Gate

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2SK963

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2SK963

FUJI POWER MOSFET 2SK961 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- I SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage Applications Switching regulators UPS DC-DC converters General purpose power amplifier 3. Source JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maximum ratings and characteristic

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2SK963

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