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NTTFS5820NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTTFS5820NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0115 Ohm

Empaquetado / Estuche: u8FL_WDFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTTFS5820NL

 

NTTFS5820NL Datasheet (PDF)

1.1. nttfs5820nl.pdf Size:110K _onsemi

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NTTFS5820NL Power MOSFET 60 V, 37 A, 11.5 mW Features Low RDS(on) http://onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 11.5 mW @ 10 V 60 V 37 A 15 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V D (5-8

2.1. nttfs5826nl-d.pdf Size:111K _onsemi

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NTTFS5826NL Power MOSFET 60 V, 24 mW, Single N-Channel, m8FL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designs Low QG(TOT) to Minimize Switching Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http://onsemi.com These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications Motor Drivers 24 mW @ 10 V 60 V 20 A DC-DC Converters 32 mW @ 4.5 V Synchronous R

3.1. nttfs5811nl.pdf Size:111K _onsemi

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NTTFS5811NL Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 mW Features Low RDS(on) http://onsemi.com Low Capacitance Optimized Gate Charge V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 6.7 mW @ 10 V 40 V 53 A 10 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated) Parameter Symbol Value Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 40 V D (5-8)

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