NVD5803N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVD5803N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NVD5803N datasheet
nvd5803n.pdf
NVD5803N Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 40 V 5.7 mW @ 10 V 85 A Applications DC Motor Drive D Reverse Battery Protection G
nvd5805n.pdf
NTD5805N, NVD5805N Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 16 mW @ 5.0 V Qualified and PPAP Capable 40 V 51 A These Devices
nvd5802n.pdf
NTD5802N, NVD5802N Power MOSFET 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses MSL 1/260 C V(BR)DSS RDS(on) ID 100% Avalanche Tested 4.4 mW @ 10 V 101 A NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requirin
Otros transistores... NTZD3154N , NTZD3155C , NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , 75N75 , NVD5862N , NVD5863NL , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N , NVTFS4823N .
History: WSP05N15
History: WSP05N15
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